بلومبرغ
أعلنت شركة "سامسونغ" عن خططها لبدء تصنيع الجيل التالي من رقائق الذاكرة، والتي ستضاعف من سرعة التكنولوجيا الحالية. ومن المرتقب أن تكون الرقائق الجديدة ذات سعة هي الأكبر حتى الآن، مما سيؤدي إلى تسريع نمو مراكز البيانات والحوسبة الفائقة.
وقالت أكبر شركة لتصنيع رقائق الذاكرة في العالم، إنها طورت وحدات ذاكرة "دي دي آر 5"، أي معدل البيانات المزدوج 5، بسعة 512 غيغابايت، مستخدمة مادة "هاي-كيه ميتل غيت" (High-K Metal Gate) والتي تُستخدم تقليدياً في تصنيع رقائق معالجة المعلومات.
وستكون ذاكرة "دي دي آر 5" أسرع بمرتين من ذاكرة "دي دي آر 4" الحالية، كما ستقلل التسرب، وأيضاً استخدام الطاقة بنسبة 13%.
وتتوقع "سامسونغ" بدء الانتقال إلى الرقاقة الجديدة في النصف الثاني من هذا العام.
وكانت صناعة الرقائق قد توقعت اعتماد معيار جديد للذاكرة مع توفر الدعم له، بعد إطلاق معالجات"إكسيون سكيلابيل" (Xeon Scalable) القادمة من شركة "إنتل"، التي تحمل الاسم الرمزي"سافاير رابيدز" (Sapphire Rapids).
وإلى جانب عقد شراكة مع اثنين من كبار موردي وحدات المعالجة المركزية؛ "إنتل" "آدفانسد مايكرو ديفايسز"، أرسلت "سامسونغ" عينات من ذاكرتها الجديدة إلى مطوري منصات مراكز البيانات، بحسب تصريحات الشركة لبلومبرغ نيوز.
ضغط إضافي على "أشباه الموصلات"
ويقدّر المحللون أن رقائق "دي دي آر 5" ستكون أكبر بنحو 20% من "دي دي آر 4"، مما سيؤدي إلى زيادة الضغط على سلاسل توريد أشباه الموصلات.
وتعتزم "سامسونغ" بدء إرسال الشحنات خلال العام الجاري، على أن تطور تدريجياً شقي عمليات التصنيع وهما: توسيع استخدام تقنية الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية، والتسعير الذي سيشمل علاوة عن الفترة المبكرة.
وقالت الشركة، التي يقع مقرها في سوون، إن التقاطع بين "دي دي آر 4" و"دي دي آر 5" سيحدث في النصف الثاني من عام 2023.
وقال أفريل وو، نائب الرئيس في "ترند فورس ريسيرش": "مع ارتفاع المعدل التدريجي لإدخال "دي دي آر 5" إلى السوق، نتوقع أن يستمر النقص في "دي آر إيه إم" خلال 2020. ونتوقع أيضاً ارتفاعاً نسبته 30-40% في الأسعار بالبداية".